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参数资料
| 型号： | IXGH32N100A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 1000V TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，32A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
GenX3 TM 1000V IGBT
Ultra-low Vsat PT IGBTs
IXGH32N100A3
IXGT32N100A3
V CES = 1000V
I C25 = 75A
V CE(sat) ≤ 2.2V
for up to 4 kHz switching
TO-247 (IXGH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V CES
V CGR
V GES
T C = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GE = 1M Ω
Continuous
1000
1000
± 20
V
V
V
G
C
E
C (TAB)
V GEM
I C25
I C110
Transient
T C = 25°C, IGBT chip capability
T C = 110°C
± 30
75
32
V
A
A
TO-268 ( IXGT)
I CM
I AS
T J ≤ 150°C, tp < 300 μ s
T C = 25 ° C
200
20
A
A
G
E
C (TAB)
E AS
SSOA
T C = 25 ° C
V GE = 15V, T VJ = 125°C, R G = 10 Ω
120
I CM = 150
mJ
A
(RBSOA)
P C
Clamped inductive load @ ≤ 0.8 ? V CES
T C = 25°C
300
W
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
T J
T JM
-55 ... +150
150
°C
°C
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-247 )
TO-247
TO-268
-55 ... +150
300
260
1.13 / 10
6
5
°C
°C
°C
Nm/lb.in.
g
g
Features
? International standard packages
? Low saturation voltage
? Avalanche Rated
? MOS gate turn-on
- drive simplicity
? Epoxy molding meets UL 94V-O
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
BV CES I C = 250 μ A, V GE = 0V
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000 V
Applications
? Pulser circuits
? Capacitor discharge
V GE(th)
I C = 250 μ A, V CE = V GE
3.0
5.0
V
I CES
V CE = V CES
50 μ A
V GE = 0V
T J = 125°C
1 mA
I GES
V CE = 0V, V GE = ± 20V
±100 nA
V CE(sat)
I C = 32A, V GE = 15V, Note 1
T J = 125°C
1.90
2.05
2.2
V
V
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99958(02/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC13N80C | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH32N120A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH32N170 | 功能描述:IGBT 晶体管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH32N170A | 功能描述:IGBT 晶体管 VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH32N50B | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGH32N50BS | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
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