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参数资料
| 型号： | IXGH32N100A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 1000V TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.2V @ 15V，32A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXGH32N100A3
IXGT32N100A3
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXGH) Outline
g fs
C ies
I C = 32A, V CE = 10V, Note 1
14
20
2250
S
pF
C oes
C res
Q g(on)
Q ge
Q gc
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz
I C = 32A, V GE = 15V, V CE = 0.5 ? V CES
130
48
87
16
35
pF
pF
nC
nC
nC
?P
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive Load, T J = 25°C
I C = 32A, V GE = 15V
V CE = 800V, R G = 10 Ω
Inductive Load, T J = 125°C
I C = 32A, V GE = 15V
V CE = 800V, R G = 10 Ω
24
51
2.6
385
540
9.5
52
23
4.2
400
770
13
700
800
14
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
e
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
R thJC
0.42 °C/W
R thCS
TO-247
0.21
°C/W
TO-268 Outline
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived
from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute a
"considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test
conditions, and dimensions without notice.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Terminals: 1 - Gate
3 - Emitter
2 - Collector
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2
6,759,692
7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC13N80C | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| IXKC15N60C5 | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC19N60C5 | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 |
| IXKC20N60C | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC23N60C5 | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH32N120A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH32N170 | 功能描述:IGBT 晶体管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH32N170A | 功能描述:IGBT 晶体管 VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH32N50B | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGH32N50BS | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
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