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参数资料
| 型号： | IXKC20N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 25V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXKC 20N60C
CoolMOS ? 1) Power MOSFET
Electrically isolated back surface
2500 V electrical isolation
N-Channel Enhancement Mode
V DSS = 600 V
I D25 = 15 A
R DS(on) max = 190 m Ω
Low R DSon , high V DSS MOSFET
Ultra low gate charge
G
D
ISOPLUS220 TM
G
D
S
isolated tab
MOSFET
S
E72873
Features
Symbol
V DSS
Conditions
T VJ = 25°C
Maximum Ratings
600 V
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- high power dissipation
V GS
± 20
V
- isolated mounting surface
I D25
I D90
E AS
E AR
T C = 25°C
T C = 90°C
single pulse; I D = 10 A; T C = 25°C
repetitive; I D = 20 A; T C = 25°C
15
10.5
690
1
A
A
mJ
mJ
- 2500 V electrical isolation
- low drain to tab capacitance (< 30 pF)
? CoolMOS ? 1) power MOSFET
- 3rd generation
- high blocking capability
- lowest resistance
- avalanche rated for unclamped
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
inductive switching (UIS)
- low thermal resistance
due to reduced chip thickness
min.
typ.
max.
? Enhanced total power density
R DSon
V GS(th)
I DSS
V GS = 10 V; I D = 16 A
V DS = V GS ; I D = 1 mA
V DS = 600 V; V GS = 0 V
T VJ = 25°C
T VJ = 150°C
2.1
160
190
3.9
25
250
m Ω
V
μA
μA
Applications
? Switched mode power supplies
(SMPS)
? Uninterruptible power supplies (UPS)
I GSS
C iss
C oss
V GS = ± 20 V; V DS = 0 V
V GS = 0 V; V DS = 25 V
f = 1 MHz
2400
780
100
nA
pF
pF
? Power factor correction (PFC)
? Welding
? Inductive heating
? PDP and LCD adapter
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 to 10 V; V DS = 350 V; I D = 20 A
V GS = 13 V; V DS = 380 V
I D = 21 A; R G = 3.3 Ω ; T VJ = 125°C
87
11
33
10
5
67
4.5
114
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
Advantages
? Easy assembly:
no screws or isolation foils required
? Space savings
? High power density
? High reliability
R thJC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
1
K/W
1)
CoolMOS ? is a trademark of
In?neon Technologies AG.
20080523a
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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