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参数资料
| 型号： | IXKG25N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 166nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISO264? |
| 供应商设备封装： | ISO264? |
| 包装： | 管件 |
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
CoolMOS TM Power MOSFET IXKG 25N80C
ISO264 TM
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode
Low R DS(on) , High Voltage MOSFET
V DSS = 800 V
I D25 = 25 A
R DS(on) = 150 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISO264 TM
V DSS
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
Continuous
800
± 20
V
V
I D25
I D90
I D(RMS)
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
Package lead current limit
25
9
45
A
A
A
G
D
S
(TAB)
E AS
E AR
I o
I o
= 10A, T C = 25 ° C
= 20A
690
0.5
mJ
mJ
G = Gate,
S = Source
D = Drain,
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
M d
Weight
V DS < V DSS , I F ≤ 17 A, T VJ = 150 ° C
d IR /dt = 100 A/ μ s
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
RMS leads-to-tab, 50/60 Hz, t = 1 minute
Mounting torque
6
250
-55 ... +150
150
-55 ... +125
300
2500
0.9 / 6
8
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
Nm/lb-in
g
* Patent pending
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
3 RD generation CoolMOS power MOSFET
- High blocking capability
- Low on resistance
- Avalanche rated for unclamped inductive
switching (UIS)
Low thermal resistance due to reduced
chip thickness
Low drain to tab capacitance(<40pF)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
Switched Mode Power Supplies (SMPS)
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Power Factor Correction (PFC)
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I D90 , Note 1
V GS = 10 V, I D = I D90 , Note 1 T J = 125 ° C
126
297
150 m ?
m ?
Welding
Inductive Heating
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 2 mA
2
4
V
Advantages
I DSS
I GSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
10
50
± 200
μ A
μ A
nA
Easy assembly
Space savings
High power density
CoolMOS is a trademark of Infineon
Technology.
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99099(10/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKH20N60C5 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXKH24N60C5 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD |
| IXKH30N60C5 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD |
| IXKH35N60C5 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD |
| IXKH47N60C | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH30N60C5 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH47N60C | 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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