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参数资料
| 型号： | IXKH20N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1.1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1520pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXKH 20N60C5
IXKP 20N60C5
CoolMOS ? 1) Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Low R DSon , High V DSS MOSFET
Ultra low gate charge
G
D
I D25 = 20 A
V DSS = 600 V
R DS(on) max = 0.2 Ω
TO-247 AD (IXKH)
G
D
S
D(TAB)
MOSFET
S
TO-220 AB (IXKP)
G
D
S
Features
Symbol
V DSS
Conditions
T VJ = 25°C
Maximum Ratings
600 V
? fast CoolMOS ? 1) power MOSFET
- 4th generation
- High blocking capability
V GS
± 20
V
- Lowest resistance
I D25
I D90
T C = 25°C
T C = 90°C
20
13
A
A
- Avalanche rated for unclamped
inductive switching (UIS)
- Low thermal resistance
E AS
E AR
single pulse
repetitive
I D = 6.6 A; T C = 25°C
435
0.66
mJ
mJ
due to reduced chip thickness
? Enhanced total power density
dV/dt
MOSFET dV/dt ruggedness V DS = 0...480 V
50
V/ns
Applications
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
? Switched mode power supplies
(SMPS)
? Uninterruptible power supplies (UPS)
min.
typ.
max.
? Power factor correction (PFC)
? Welding
R DSon
V GS = 10 V; I D = 10 A
180
200
m Ω
? Inductive heating
V GS(th)
I DSS
V DS = V GS ; I D = 1.1 mA
V DS = 600 V; V GS = 0 V
T VJ = 25°C
2.5
3
3.5
1
V
μA
? PDP and LCD adapter
I GSS
V GS = ± 20 V; V DS = 0 V
T VJ = 125°C
10
100
μA
nA
1)
CoolMOS ? is a trademark of
In?neon Technologies AG.
C iss
C oss
V GS = 0 V; V DS = 100 V
f = 1 MHz
1520
72
pF
pF
Q g
32
45
nC
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R thJC
V GS = 0 to 10 V; V DS = 400 V; I D = 10 A
V GS = 10 V; V DS = 400 V
I D = 10 A; R G = 3.3 Ω
8
11
10
5
50
5
0.60
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523d
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKH24N60C5 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD |
| IXKH30N60C5 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD |
| IXKH35N60C5 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD |
| IXKH47N60C | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| IXKH70N60C5 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH30N60C5 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH47N60C | 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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