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参数资料
| 型号： | IXKH47N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 650nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXKH 47N60C
CoolMOS ? 1) Power MOSFET
Low R DSon , high V DSS
Superjunction MOSFET
G
D
V DSS = 600 V
I D25 = 47 A
R DS(on) max = 70 m Ω
TO-247
G
MOSFET
S
D
E72873
Features
S
tab
Symbol
V DSS
Conditions
T VJ = 25°C
Maximum Ratings
600 V
? 3rd generation Superjunction power
MOSFET
- high blocking capability
V GS
± 20
V
- lowest resistance
I D25
I D100
E AS
E AR
dV/dt
T C = 25°C
T C = 100°C
single pulse I D = 10 A; T C = 25°C
repetitive I D = 20 A; T C = 25°C
MOSFET dV/dt ruggedness V DS = 0...480 V
47
30
1800
tbd
tbd
A
A
mJ
mJ
V/ns
- avalanche rated for unclamped
inductive switching (UIS)
- low thermal resistance
due to reduced chip thickness
Applications
? Switched mode power supplies (SMPS)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? Power factor correction (PFC)
? Welding
min.
typ.
max.
? Inductive heating
R DSon
V GS(th)
I DSS
V GS = 10 V; I D = I D100
V DS = V GS ; I D = 2 mA
V DS = V DSS ; V GS = 0 V
T VJ = 25°C
2
60
70
4
25
m Ω
V
μA
1)
CoolMOS ? is a trademark of
In?neon Technologies AG.
T VJ = 150°C
250
μA
I GSS
C iss
C oss
V GS = ± 20 V; V DS = 0 V
V GS = 0 V; V DS = 100 V
f = 1 MHz
tbd
tbd
±100
nA
pF
pF
Q g
255
650
nC
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R thJC
V GS = 0 to 10 V; V DS = 350 V; I D = 40 A
V GS = 10 V; V DS = 380 V
I D = 47 A; R G = 4.7 Ω
30
110
20
27
111
10
0.3
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K/W
Pulse test, t < 300 μs, duty cycle d < 2%
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523a
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
| IXKK85N60C | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 |
| IXKN40N60C | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKK85N60C | 功能描述:MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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