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参数资料
| 型号： | IXKH47N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 650nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXKH 47N60C
120
100
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
Fig. 8. Transconductance
80
60
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
40
20
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
20
40
60
80
100
120
100
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
9
8
7
6
5
V DS = 350V
I D = 40A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - Volts
0.9
1
1.1
0
30
60
90 120 150 180
Q G - nanoCoulombs
210
240
270
100000
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
1
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1000
C oss
0.1
100
C rss
10
0.01
0
10
20
30
40 50 60
V DS - Volts
70
80
90
100
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523a
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
| IXKK85N60C | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 |
| IXKN40N60C | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKK85N60C | 功能描述:MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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