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参数资料
| 型号： | IXKH47N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 650nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXKH 47N60C
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise speci?ed)
min.
typ.
max.
I S
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
I F = 40 A; V GS = 0 V
I F = 40 A; -di F /dt = 100 A/μs; V R = 640 V
A
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
M d
operating
mounting torque
-55...+150
-55...+150
1.13
°C
°C
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
tbd
2.7
K/W
g
TO-247 Outline
Symbol
A
A1
A2
D
E
E2
e
L
L1
?P
Q
S
b
b2
b4
c
D1
D2
E1
?P1
Inches
min max
0.185 0.209
0.087 0.102
0.059 0.098
0.819 0.845
0.610 0.640
0.170 0.216
0.215 BSC
0.780 0.800
- 0.177
0.140 0.144
0.212 0.244
0.242 BSC
0.039 0.055
0.065 0.094
0.102 0.135
0.015 0.035
0.515 -
0.020 0.053
0.530 -
- 0.291
Millimeters
min max
4.70 5.30
2.21 2.59
1.50 2.49
20.79 21.45
15.48 16.24
4.31 5.48
5.46 BSC
19.80 20.30
- 4.49
3.55 3.65
5.38 6.19
6.14 BSC
0.99 1.40
1.65 2.39
2.59 3.43
0.38 0.89
13.07 -
0.51 1.35
13.45 -
- 7.39
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523a
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
| IXKK85N60C | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 |
| IXKN40N60C | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKK85N60C | 功能描述:MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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