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参数资料
| 型号： | IXKH47N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 650nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXKH 47N60C
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
50
45
t p = 300 μ s
V GS = 10V
6V
180
160
t p = 300 μ s
V GS = 10V
7V
40
5V
140
35
30
120
100
6V
25
20
4.5V
80
15
10
60
40
5V
5
0
4V
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D100 Value
vs. Junction Tem perature
50
45
40
t p = 300 μ s
V GS = 10V
5V
2.8
2.5
V GS = 10V
t p = 300 μ s
35
2.2
30
4.5V
1.9
25
20
1.6
1.3
I D = 30A
I D = 15A
15
10
5
0
4V
1
0.7
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
I D100 Value vs. I D
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.7
3.4
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
t p = 300 μ s
T J = 125oC
T J = 25oC
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
20080523a
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKK85N60C | 功能描述:MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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