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参数资料
| 型号： | IXKG25N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 166nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISO264? |
| 供应商设备封装： | ISO264? |
| 包装： | 管件 |
IXKG 25N80C
Symbol
Q g(on)
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
166
nC
ISO264 OUTLINE
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R thJC
R thCH
V GS = 10 V, V DS = 640 V, I D = 17 A
V GS = 10 V, V DS = 640V
I D = 35 A, R G = 2.2 ?
18
84
25
25
75
10
0.30
0.5
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K/W
K/W
Reverse Conduction
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - No Connection
V SD
I F = 12.5 A, V GS = 0 V
Note 1
1
1.2
V
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKH20N60C5 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXKH24N60C5 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD |
| IXKH30N60C5 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD |
| IXKH35N60C5 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD |
| IXKH47N60C | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH30N60C5 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH47N60C | 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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