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参数资料
| 型号： | IXKC13N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 25V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
CoolMOS ? 1) Power MOSFET
ISOPLUS ? Package
N-Channel Enhancement Mode
Low R DSon , high V DSS MOSFET
IXKC 13N80C
I D25 = 13 A
V DSS = 800 V
R DS(on) max = 290 m Ω
Electrically Isolated Back Surface
G
D
ISOPLUS220?
G
D
S
E72873
S
isolated
back surface
MOSFET
Features
Symbol
V DSS
Conditions
T VJ = 25°C
Maximum Ratings
800 V
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- high power dissipation
V GS
± 20
V
- isolated mounting surface
I D25
I D90
E AS
E AR
dV/dt
T C = 25°C
T C = 90°C
T J start = 25°C; single pulse; I D = 3.4 A
T J start = 25°C; repetitive; I D = 17 A
V DS < V DSS ; I F = 17 A; T VJ = 150°C
d IR /dt = 100 A/μs
13
9
670
0.5
6
A
A
mJ
mJ
V/ns
- 2500 V electrical isolation
? 3 rd generation CoolMOS ? 1) power
MOSFET
- high blocking capability
- lowest resistance
- avalanche rated for unclamped
inductive switching (UIS)
? Low thermal resistance due to
reduced chip thickness
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
? Low drain to tab capacitance (<30 pF)
Applications
min.
typ.
max.
? Switched mode power supplies (SMPS)
R DSon
V GS(th)
I DSS
V GS = 10 V; I D = I D90
V DS = V GS ; I D = 1 mA
V DS = V DSS ; V GS = 0 V
T VJ = 25°C
2
250
290
4
25
m Ω
V
μA
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? Power factor correction (PFC)
? Welding
? Inductive heating
I GSS
V GS = ± 20 V; V DS = 0 V
T VJ = 125°C
125
±100
μA
nA
Advantages
? Easy assembly: no screws or isolation
C iss
2300
pF
foils required
C oss
C rss
Q g
Q gs
Q gd
V GS = 0 V; V DS = 25 V; f = 1 MHz
V GS = 0 to 10 V; V DS = 640 V; I D = I D90
1250
60
90
10
40
pF
pF
nC
nC
nC
? Space savings
? High power density
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V; V DS = 640 V; T VJ = 125°C
I D = 17 A; R G = 4.7 Ω
25
25
75
ns
ns
ns
1)
CoolMOS ? is a trademark of
In?neon Technologies AG.
t f
R thJC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
10
1.0
ns
K/W
20080526b
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC15N60C5 | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC19N60C5 | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 |
| IXKC20N60C | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC23N60C5 | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 |
| IXKC25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKC15N60C5 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC19N60C5 | 功能描述:MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC20N60C | 功能描述:MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC23N60C5 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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