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参数资料
| 型号： | IXKC13N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 25V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Source-Drain Diode
Advanced Technical Information
IXKC 13N80C
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise speci?ed)
min.
typ.
max.
I S
V GS = 0 V
17
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 17 A; V GS = 0 V
I F = 17 A; -di F /dt = 100 A/μs; V R = 400 V
1.0
550
15
50
1.2
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
V ISOL
F C
operating
RMS, lead-to-tab, 50/60 Hz, f = 1 minute
mounting force
-55...+150
-55...+150
2500
11-65/2.4-11
°C
°C
V~
N/lb.
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
0.3
2.7
K/W
g
ISOPLUS220 TM Outline
E
A
SYM
INCHES
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
A
A2
b
b2
b4
.157
.098
.035
.049
.093
.197
.118
.051
.065
.100
4.00
2.50
0.90
1.25
2.35
5.00
3.00
1.30
1.65
2.55
2X b4
* Note 1
c
D
D1
E
E1
.028
.591
.472
.394
.295
.039
.630
.512
.433
.335
0.70
15.00
12.00
10.00
7.50
1.00
16.00
13.00
11.00
8.50
e
.100 BASIC
2.55 BASIC
1
2
3
L
L1
T
NOTE:
.512
.118
.571
.138
13.00
3.00
42.5
14.50
3.50
47.5
1. Bottom heatsink is electrically isolated from Pin 1, 2, or 3.
2X e
3X b
c
A2
2X b2
2. This drawing will meet dimensional requirement of JEDEC SS
Product Outline TO-273 except D and D1 dimension.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526b
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC15N60C5 | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC19N60C5 | MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220 |
| IXKC20N60C | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 |
| IXKC23N60C5 | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 |
| IXKC25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKC15N60C5 | 功能描述:MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC19N60C5 | 功能描述:MOSFET 19 Amps 600V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC20N60C | 功能描述:MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC23N60C5 | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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