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参数资料
| 型号： | IXFX88N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 146nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFH 88N20Q
IXFK 88N20Q
IXFX 88N20Q
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 200 V
= 88 A
= 30 m ?
≤ 200 ns
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q g
Preliminary data sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
200
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
± 30
± 40
88
352
88
V
V
A
A
A
TO-264 AA (IXFK)
D (TAB)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
2.5
mJ
J
G
D
S
D (TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
20
500
V/ns
W
PLUS 247 TM (IXFX)
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
G
D
D (TAB)
M d
Mounting torque
TO-247
TO-264
1.13/10 Nm/lb.in.
0.9/6 Nm/lb.in.
G = Gate
S = Source
TAB = Drain
Weight
TO-247, PLUS 247 6
g
TO-264 10
g
Features
Low gate charge
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
International standard packages
Epoxy meet UL 94 V-0, flammability
classification
Low R DS (on) HDMOS TM process
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 250 uA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC, V DS = 0
200
2.0
4.0
± 100
V
V
nA
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche energy and current rated
Fast intrinsic Rectifier
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
25 μ A
1 mA
30 m ?
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98969A(03/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC735R-150.304 | OSC 150.304 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32653A2223J | FILM CAP 22NF 5% 2000V MKP |
| S331/C | SW TOGGLE DPST 25A |
| IXFT60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-268 |
| B32024B3474M | FILM CAP 0.47UF 20% 300V MKP Y2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX90N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20QS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD |
| IXFX90N30 | 功能描述:MOSFET 300V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX94N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX98N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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