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参数资料
| 型号： | IXFX88N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 146nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 88N20Q IXFK 88N20Q
IXFX 88N20Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
40
55
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4150
1100
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
C rss
t d(on)
340
18
pF
ns
3 - Source
Tab - Drain
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
20
ns
t d(off)
R G = 2.0 ? (External),
61
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
t f
15
ns
A
4.7
5.3
.185
.209
A 1
2.2
2.54
.087
.102
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
146
30
60
0.25
nC
nC
nC
K/W
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
e
L
5.20
19.81
5.72
20.32
0.205
.780
0.225
.800
R thCK
TO-247
TO-264, PLUS 247
0.25
0.15
K/W
K/W
L1
? P
3.55
4.50
3.65
.140
.177
.144
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-264 AA (IXFK) Outline
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
88
352
1.3
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.8
8
200
ns
μ C
A
PLUS 247 (IXFX) Outline
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC735R-150.304 | OSC 150.304 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32653A2223J | FILM CAP 22NF 5% 2000V MKP |
| S331/C | SW TOGGLE DPST 25A |
| IXFT60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-268 |
| B32024B3474M | FILM CAP 0.47UF 20% 300V MKP Y2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX90N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX90N20QS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD |
| IXFX90N30 | 功能描述:MOSFET 300V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX94N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX98N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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