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参数资料
| 型号： | IXGH50N60C4D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | IXGH50N60C4D1 |
2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
00.5
11.522.5
3
VCE - Volts
IC
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
10V
9V
7V
8V
6V
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25C
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
25
30
VCE - Volts
IC
-
A
m
pere
s
VGE = 15V
9V
10V
12V
14V
13V
8V
11V
7V
6V
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VCE - Volts
IC
-
A
m
p
e
res
VGE = 15V
13V
12V
11V
10V
8V
9V
7V
6V
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
V
CE
(s
at
)-
N
o
rm
a
liz
e
d
VGE = 15V
I C = 36A
I C = 18A
I C = 72A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage vs.
Gate-to-Emitter Voltage
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
VGE - Volts
V
CE
-
V
o
lts
I C = 72A
TJ = 25C
36A
18A
Fig. 6. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
VGE - Volts
IC
-
A
m
peres
TJ = - 40C
25C
125C
IXGQ50N60C4D1
IXGH50N60C4D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ50N60C4D1 | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXSP2N100 | 3 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXXH50N60B3 | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| IXXH75N60C3D1 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| J-7-V3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH50N90B2 | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH50N90B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH56N60A3 | 功能描述:IGBT 模块 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGH56N60B3 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT |
| IXGH56N60B3D1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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