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参数资料
| 型号： | IXGH50N60C4D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | IXGH50N60C4D1 |
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXGQ50N60C4D1
IXGH50N60C4D1
Fig. 7. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
20
40
60
80
100
120
140
IC - Amperes
g
fs
-
S
iemens
TJ = - 40C
25C
125C
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
VCE - Volts
IC
-
A
m
per
es
TJ = 125C
RG = 10
dv / dt < 10V / ns
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Second
Z
(th
)J
C
-C
/W
Fig. 8. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
20
40
60
80
100
120
QG - NanoCoulombs
V
GE
-
V
o
lts
VCE = 300V
I C = 36A
I G = 10mA
Fig. 9. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VCE - Volts
C
apac
itanc
e
-
P
icoFar
ads
f = 1 MHz
Cies
Coes
Cres
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGQ50N60C4D1 | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXSP2N100 | 3 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXXH50N60B3 | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| IXXH75N60C3D1 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| J-7-V3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH50N90B2 | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH50N90B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH56N60A3 | 功能描述:IGBT 模块 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGH56N60B3 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT |
| IXGH56N60B3D1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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