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参数资料
| 型号： | IXGN200N60A2 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MINIBLOC-4 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IXGN200N60A2 |
2003 IXYS All rights reserved
IXGN 200N60A2
V
CES
= 600 V
I
C25
= 200 A
V
CE(sat)
= 1.35 V
SOT-227B, miniBLOC
Features
International standard package
miniBLOC
Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current IGBT
Low V
CE(sat) for minimum on-state
conduction losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
Space savings
High power density
E
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
G
E
C
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J
= 25
°C to 150°C
600
V
V
CGR
T
J
= 25
°C to 150°C; R
GE = 1 M
600
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C = 25°C
200
A
I
C110
T
C = 110°C
100
A
I
CM
T
C = 25°C, 1 ms
400
A
SSOA
V
GE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 2.0
I
CM = 200
A
(RBSOA)
Clamped inductive load
@ 0.8 V
CES
P
C
T
C = 25°C
700
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
V
ISOL
50/60 Hz
t = 1 min
2500
V~
I
ISOL ≤ 1 mA
t = 1 s
3000
V~
M
d
Mounting torque
1.5/13 Nm/lb.in.
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
Weight
30
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 1 mA, V
CE = VGE
2.5
5.5
V
I
CES
V
CE = VCES
T
J =
25
°C50
A
V
GE = 0 V
T
J = 125°C2
mA
I
GES
V
CE = 0 V, VGE = ±20 V
±400
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C110, VGE = 15 V
1.2
1.35
V
DS99087A(11/03)
IGBT
Optimized for Switching
up to 5 kHz
Preliminary Data Sheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN320N60A3 | |
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
| IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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