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参数资料
| 型号： | IXGN320N60A3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MINIBLOC-4 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IXGN320N60A3 |
2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J = 25°C to 150°C
600
V
V
CGR
T
J = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
600
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C = 25°C (Chip Capability)
320
A
I
C110
T
C = 110°C
170
A
I
LRMS
Terminal Current Limit
200
A
I
CM
T
C = 25°C, 1ms
1200
A
SSOA
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 1Ω
I
CM = 320
A
(RBSOA)
Clamped Inductive Load
@0.8 V
CES
P
C
T
C = 25°C
735
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
V
ISOL
50/60Hz
t = 1min
2500
V~
I
ISOL ≤ 1mA
t = 1s
3000
V~
M
d
Mounting Torque
1.5/13
Nm/lb.in.
Terminal Connection Torque (M4)
1.3/11.5
Nm/lb.in.
Weight
30
g
Features
Optimized for Low Conduction Losses
High Avalanche Capability
Isolation Voltage 3000 V~
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
Inrush Current Protection Circuits
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Min.
Typ.
Max.
BV
CES
I
C
= 1mA, V
GE = 0V
600
V
V
GE(th)
I
C
= 4mA, V
CE = VGE
3.0
5.0
V
I
CES
V
CE = VCES, VGE = 0V
150 μA
T
J = 125°C
1.5 mA
I
GES
V
CE = 0V, VGE = ±20V
±400 nA
V
CE(sat)
I
C
= 100A, V
GE = 15V, Note 1
1.05
1.25
V
I
C
= 320A
1.46
V
DS99576C(12/09)
GenX3TM 600V IGBT
IXGN320N60A3
V
CES
= 600V
I
C25
= 320A
V
CE(sat) ≤
≤≤≤≤ 1.25V
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either Emitter Terminal Can Be Used
as Main or Kelvin Emitter
Ultra-Low-Vsat PT IGBT for
up to 5kHz Switching
E
SOT-227B, miniBLOC
G
E
C
E153432
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
| IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
| J1MAWDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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