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参数资料
| 型号： | IXGN320N60A3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MINIBLOC-4 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IXGN320N60A3 |
2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: G_320N60A3(96)7-03-08-A
IXGN320N60A3
Fig. 12. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Collector Current
50
70
90
110
130
150
170
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
IC - Amperes
tr
-
N
a
no
seco
nd
s
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 13. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
50
100
150
200
250
300
350
400
450
12345
6789
10
RG - Ohms
tr
-
Na
no
se
co
nd
s
56
60
64
68
72
76
80
84
88
td
(o
n
) -
Na
no
se
co
nd
s
t r
td(on) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 320A, 160A, 80A
I C = 80A
Fig. 14. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
500
700
900
1100
1300
1500
1700
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
tf
-
Na
no
se
co
nd
s
140
180
220
260
300
340
380
td
(of
f) -
Na
no
se
co
nd
s
t f
td(off) - - - -
RG = 1, VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 320A
I C = 80A
I C = 160A
Fig. 15. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Collector Current
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
80
120
160
200
240
280
320
IC - Amperes
tf
-
Na
no
se
co
nd
s
175
200
225
250
275
300
325
350
td
(of
f) -
Na
no
se
co
nd
s
t f
td(off) - - - -
RG = 1, VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
12345
6789
10
RG - Ohms
tf
-
Na
no
se
co
nd
s
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
td
(of
f) -
Na
no
se
co
nd
s
t f
td(off) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 80A
I C = 320A
I C = 160A
Fig.11. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
50
70
90
110
130
150
170
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
tr
-
N
a
no
seco
nd
s
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 400V
I C = 320A
I C = 160A
I C = 80A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
| IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
| J1MAWDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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