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参数资料
| 型号： | IXGN400N60A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.25V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 32nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN400N60A3
600
Fig. 11. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
500
Fig. 12. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Collector Current
550
500
I
C
= 300A
450
R G = 0.5 ?
V GE = 15V
450
400
400
350
V CE = 400V
T J = 125oC
350
300
I
C
= 200A
300
T J = 25oC
250
200
150
100
R G = 0.5 ?
V GE = 15V
V CE = 400V
250
200
150
50
I
C
= 100A
100
0
50
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
T J - Degrees Centigrade
Fig. 13. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I C - Amperes
Fig. 14. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
700
600
500
400
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 400V
I C = 300A
90
80
70
60
700
650
600
550
500
t f t d(off) - - - -
R G = 0.5 ? , V GE = 15V
V CE = 400V
I C = 100A, 200A
230
220
210
200
190
450
180
300
50
400
170
200
I C = 300A, 200A, 100A
40
350
I C = 300A
160
300
150
100
0
30
20
250
200
140
130
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 15. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Collector Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
700
600
210
200
700
650
380
340
500
400
T J = 125oC
190
180
600
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE =15V
V CE = 400V
I
C
I C = 100A
= 200A
300
550
260
300
T J = 25oC
170
I
C
= 300A
200
t f
t d(off) - - - -
160
500
220
100
R G = 0.5 ? , V GE = 15V
150
450
180
V CE = 400V
0
140
400
140
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I C - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
IXYS REF: G_400N60A3(99)7-10-08-C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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