- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXGN50N60B (IXYS)IGBT 75A 600V SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXGN50N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.1nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
HiPerFAST TM IGBT
IXGN 50N60B
V CES
I C25
V CE(sat)
t fi(typ)
=
=
=
=
600 V
75 A
2.3 V
120 ns
Preliminary data sheet
E
Symbol
V CES
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
600 V
SOT-227B miniBLOC
E153432
E
V CGR
V GES
V GEM
I C25
I C90
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T stg
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 10 ?
Clamped inductive load, L = 30 μ H
T C = 25 ° C
600
± 20
± 30
75
50
200
I CM = 100
@ 0.8 V CES
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
A
A
A
A
W
° C
° C
° C
G
E
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either emitter terminal can be used
as Main or Kelvin Emitter
Features
International standard package
SOT-227B
Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Isolation voltage 3000 V~
Very high current, fast switching
V isol
RMS, t = 1 minute, 50/60 Hz
2500
V
IGBT
Low V CE(sat) for minimum on-state
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
30
300
g
° C
conduction losses
MOS Gate turn-on drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Applications
AC motor speed control
min.
typ.
max.
DC servo and robot drives
BV CES
I C
= 250 μ A, V GE = 0 V
600
V
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
V GE(th)
I C
= 250 μ A, V CE = V GE
2.5
5
V
Switch-mode and resonant-mode
I CES
I GES
V CE = 0.8 ? V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 125 ° C
200
1
± 100
μ A
mA
nA
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
2.3
V
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS97531D(02/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| IXGN60N60 | IGBT 600V 100A SOT-227B |
| IXGN72N60A3 | IGBT 160A 600V SOT-227B |
| IXGN72N60C3H1 | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| IXGN80N60A2D1 | IGBT 600V 160A FRD SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。