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参数资料
| 型号： | IXGN50N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.1nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN 50N60B
Figure 1. Saturation Voltage Characteristics
Figure 2. Extended Output Characteristics
100
80
T J = 25°C
V GE = 15V
13V
11V
9V
200
160
T J = 25°C
V GE = 15V
13V
11V
9V
7V
60
120
40
80
7V
20
5V
40
5V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V CE - Volts
Figure 3. Saturation Voltage Characteristics
V CE - Volts
Figure 4. Temperature Dependence of V CE(sat)
100
80
T J = 125°C V GE
= 15V
13V
11V
9V
1.6
1.4
V GE = 15V
I C = 100A
60
40
7V
1.2
1.0
0.8
I C = 25A
I C = 50A
5V
20
0.6
0
0
1
2
3
4
5
0.4
25
50
75
100
125
150
V CE - Volts
Figure 5. Admittance Curves
100
V CE = 10V
80
60
T J - Degrees C
Figure 6. Capacitance Curves
10000
C iss
1000
f = 1Mhz
40
T J = 125°C
T J = 25°C
100
C oss
20
C rss
0
0
2
4
6
8
10
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V GE - Volts
? 2003 IXYS All rights reserved
V CE -Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| IXGN60N60 | IGBT 600V 100A SOT-227B |
| IXGN72N60A3 | IGBT 160A 600V SOT-227B |
| IXGN72N60C3H1 | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| IXGN80N60A2D1 | IGBT 600V 160A FRD SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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