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参数资料
| 型号： | IXGN80N60A2D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 160A FRD SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，80A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 650µA |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
Advanced Technical Data
IGBT
Optimized for Switching
up to 5 kHz
IXGN 80N60A2
IXGN 80N60A2D1
E
D1
V CES =
I C25 =
V CE(sat) =
600 V
160 A
1.35 V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
SOT-227B, miniBLOC
V CES
V CGR
V GES
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
600
600
± 20
V
V
V
E153432
G
E
V GEM
I C25
I C110
I F110
I CM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 110 ° C
T C = 110 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
IXGN80N60A2D1
± 30
160
80
60
320
V
A
A
A
A
E
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
SSOA
(RBSOA)
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 2.0 ?
Clamped inductive load
I CM = 160
@ 0.8 V CES
A
Main or Kelvin Emitter
P C
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
T C = 25 ° C
50/60 Hz t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
625 W
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Features
International standard package
miniBLOC
UL recognized
Aluminium nitride isolation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current IGBT
Low V CE(sat) for minimum on-state
conduction losses
Weight
30
g
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
AC motor speed control
V GE(th)
I C
= 1 mA, V CE = V GE
2.5
5.5
V
DC servo and robot drives
DC choppers
I CES
V CE = V CES, V GE = 0 V
Note 3
80N60A2
80N60A2D1
25
650
μ A
μ A
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
I GES
V CE(sat)
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
I C = I C110 , V GE = 15 V, Note 1
1.2
± 400
1.35
nA
V
Advantages
Easy to mount with 2 screws
Space savings
High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS99180(05/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN82N120B3H1 | IGBT 1200V 145A SOT-227 |
| IXGN82N120C3H1 | IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B |
| IXSN35N100U1 | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
| IXSN50N60BD3 | IGBT 75A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN82N120B3H1 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N100A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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