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参数资料
| 型号： | IXSN35N100U1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 38A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 205W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IGBT with Diode
IXSN 35N100U1
V CES
I C25
V CE(sat)
= 1000 V
= 38 A
= 3.5 V
High Short Circuit SOA Capability
3
2
4
1
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
Transient
1000
1000
± 20
± 30
V
A
V
V
2
1
I C25
I C90
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
38
25
A
A
3
4
I CM
T C = 25 ° C, 1 ms
50
A
1 = Emitter,
2 = Gate,
3 = Collector
4 = Kelvin Emitter
International standard package
SSOA
(RBSOA)
t SC
(SCSOA)
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 22 ?
Clamped inductive load, L = 30 μ H
V GE = 15 V, V CE = 0.6 ? V CES , T J = 125 ° C
R G = 22 ? , non repetitive
I CM = 50
@ 0.8 V CES
10
A
μ s
Features
q
miniBLOC (ISOTOP) compatible
P C
T C = 25 ° C
205
W
q
q
Isolation voltage 3000 V~
2nd generation HDMOS TM process
V ISOL
T J
T JM
T stg
50/60 Hz
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
-40 ... +150
150
-40 ... +150
V~
V~
° C
° C
° C
q
q
q
- for high short circuit SOA
Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Fast Recovery Epitaxial Diode
Low collector-to-case capacitance
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
(FRED)
- short t rr and I RM
q
(< 50 pF)
- reducesd RFI
Low package inductance (< 10 nH)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
q
- easy to drive and to protect
Applications
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 6 mA, V GE = 0 V
= 10 mA, V CE = V GE
1000
5
8
V
V
q
q
q
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
I CES
V CE = 0.8 ? V CES
V GE = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
750
15
μ A
mA
q
q
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
I GES
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
± 500
nA
Advantages
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
3.5
V
q
q
Space savings
Easy to mount with 2 screws
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
q
High power density
? IXYS Corporation. All rights reserved.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
93005C (7/94)
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
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| IXSN52N60AU1 | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
| IXSN55N120AU1 | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
| IXSN55N120A | IGBT 1200V SCSOA SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN40N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N100AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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