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参数资料
| 型号： | IXSN55N120AU1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4V @ 15V，55A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 110A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
High Voltage
IGBT with Diode
IXSN 55N120AU1
V CES
I C25
= 1200 V
= 110 A
Short Circuit SOA Capability
Preliminary data
2
4
3
1
V CE(sat) = 4 V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M W
Continuous
Transient
1200
1200
± 20
± 30
V
A
V
V
2
1
I C25
I C90
I CM
SSOA
(RBSOA)
t SC
(SCSOA)
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 22 W
Clamped inductive load, L = 30 m H
V GE = 15 V, V CE = 0.6 ? V CES , T J = 125 ° C
R G = 22 W , non repetitive
110
55
160
I CM = 110
@ 0.8 V CES
10
A
A
A
A
m s
Features
3
4
P C
P D
T C = 25 ° C
IGBT
Diode
500
175
W
W
? International standard package
miniBLOC (ISOTOP) compatible
? Aluminium-nitride isolation
V ISOL
T J
T JM
T stg
50/60 Hz
I ISOL ￡ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V~
V~
° C
° C
° C
- high power dissipation
? Isolation voltage 3000 V~
? Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
? Fast Recovery Epitaxial Diode
- short t rr and I RM
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13
1.5/13
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
? Low collector-to-case capacitance
(< 60 pF)
- reduces RFI
? Low package inductance (< 10 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
?
AC motor speed control
?
DC servo and robot drives
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 8 mA, V GE = 0 V
= 8 mA, V CE = V GE
1200
4
8
V
V
?
?
?
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
I CES
I GES
V CE = 0.8 ? V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
16
± 200
mA
mA
nA
power supplies
Advantages
? Space savings
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
4
V
? Easy to mount with 2 screws
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
92520E(12/96)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN55N120A | IGBT 1200V SCSOA SOT-227B |
| IXSN62N60U1 | IGBT 90A 600V SOT-227B |
| IXSN80N60BD1 | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| L17D438SP | TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR |
| L595200 | CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN55N120U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B |
| IXSN62N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 90A I(C) | SOT-227B |
| IXSN62N60U1 | 功能描述:IGBT 晶体管 90 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN80N60A | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSN80N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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