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参数资料
| 型号： | IXSN62N60U1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 90A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 90A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IGBT with Diode
Short Circuit SOA Capability
IXSN 62N60U1 V CES
I C25
V CE(sat)
3
2
4
1
= 600 V
= 90 A
= 2.5 V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
1
V CES
V CGR
V GES
V GEM
I C25
I C90
I CM
SSOA
(RBSOA)
t SC
(SCSOA)
P C
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M W
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 22 W
Clamped inductive load, L = 30 m H
V GE = 15 V, V CE = 360 V, T J = 125 ° C
R G = 22 W , non repetitive
T C = 25 ° C
600
600
± 20
± 30
90
50
180
I CM = 100
@ 0.8 V CES
10
250
V
A
V
V
A
A
A
A
m s
W
2
3
1 = Emitter ? , 3 = Collector
2 = Gate, 4 = Emitter ?
? Either Emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
? International standard package
miniBLOC (ISOTOP) compatible
? Aluminium-nitride isolation
4
V ISOL
T J
T JM
T stg
50/60 Hz
I ISOL ￡ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V~
V~
° C
° C
° C
- high power dissipation
? Isolation voltage 3000 V~
? Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
? Fast Recovery Epitaxial Diode
- short t rr and I RM
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
? Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Weight
30
g
- reducesd RFI
? Low package inductance (< 10 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
? AC motor speed control
? DC servo and robot drives
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 3 mA, V GE = 0 V
= 4 mA, V CE = V GE
600
4
8
V
V
? DC choppers
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? Switch-mode and resonant-mode
I CES
I GES
V CE = 0.8 ? V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
750
15
± 100
m A
mA
nA
power supplies
Advantages
? Space savings
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
2.5
V
? Easy to mount with 2 screws
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
92815I (7/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN80N60BD1 | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| L17D438SP | TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR |
| L595200 | CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART |
| LC4HW-R6-DC24VS | COUNTER DIGITAL 24VDC SCREW TERM |
| LCS-10 | LIQUID LEVEL CONTROL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN80N60A | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSN80N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN80N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 160 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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