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参数资料
| 型号： | IXSN80N60BD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，80A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 420W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IGBT with Diode
Short Circuit SOA Capability
Preliminary Data Sheet
IXSN 80N60BD1 V CES
I C25
V CE(sat)
t fi
C
G
E
E
=
=
=
=
600 V
160 A
2.5 V
180 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
Transient
600
600
± 20
± 30
V
A
V
V
E153432
G
E
E
I C25
I L
I C90
T C = 25 ° C (Silicon chip capability)
Lead current limit (RMS)
T C = 90 ° C
160
100
80
A
A
A
E = Emitter
G = Gate,
,
C
C = Collector
E = Emitter
I CM
SSOA
(RBSOA)
t SC
(SCSOA)
P C
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 5 ?
Clamped inductive load
V GE = 15 V, V CE = 360 V, T J = 125 ° C
R G = 22 ? , non repetitive
T C = 25 ° C
300
I CM = 160
@ 0.8 V CES
10
420
A
A
μ s
W
Either Emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International standard package
Aluminium-nitride isolation
- high power dissipation
V ISOL
T J
T JM
T stg
M d
Weight
50/60 Hz
I ISOL ≤ 1 mA
Mounting torque
t = 1 min
t=1s
2500 V~
3000 V~
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
0.4/6 Nm/lb.in.
30
g
Isolation voltage 3000 V~
UL registered E 153432
Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
Fast Recovery Epitaxial Diode
- short t rr and I RM
Low collector-to-case capacitance
(< 60 pF)
- reduced RFI
Low package inductance (< 10 nH)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
- easy to drive and to protect
Applications
AC motor speed control
B V CES
I C
= 500 μ A, V GE = 0 V
600
V
DC servo and robot drives
DC choppers
V GE(th)
I CES
I GES
I C = 8 mA, V CE = V GE
V CE = V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4
8
200
2
± 200
V
μ A
mA
nA
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Space savings
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V; Note 1
2.5
V
Easy to mount with 2 screws
High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98890A(05/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L17D438SP | TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR |
| L595200 | CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART |
| LC4HW-R6-DC24VS | COUNTER DIGITAL 24VDC SCREW TERM |
| LCS-10 | LIQUID LEVEL CONTROL |
| LD4006P0 | COUNTER 6 DIGIT DUAL 4.0" RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSP10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP16N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSP20N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP24N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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