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参数资料
| 型号： | IXSN80N60BD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，80A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 420W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 80N60BD1
Fig. 13. Dependence of Turn-off
Sw itching Tim e on Tem perature
Fig. 14. Gate Charge
300
275
250
t d(off)
t fi - - - - - -
R G = 2.7 ?
V GE = 15V
I C = 160A
15
12
V CE = 300V
I C = 80A
I G = 10mA
225
200
V CE = 480V
9
175
150
I C = 80A
I C = 40A
6
125
100
75
I C = 160A
3
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
10000
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Capacitance
Q G - nanoCoulombs
f = 1 MHz
C ies
1000
C oes
100
C res
10
0
5
10
15 20 25
V C E - Volts
30
35
40
Fig. 16. Maxim um Transient Therm al Resistance
1.0
0.1
0.0
1
10
Pulse Width - milliseconds
100
1000
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L17D438SP | TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR |
| L595200 | CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART |
| LC4HW-R6-DC24VS | COUNTER DIGITAL 24VDC SCREW TERM |
| LCS-10 | LIQUID LEVEL CONTROL |
| LD4006P0 | COUNTER 6 DIGIT DUAL 4.0" RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSP10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP16N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSP20N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP24N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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