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参数资料
| 型号： | IXSN80N60BD1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，80A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 160A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 6.6nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 420W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 80N60BD1
Fig. 1. Output Characte ristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characte ristics
@ 25 de g. C
80
70
60
50
V GE = 17V
15V
13V
11V
300
270
240
210
180
V GE = 17V
15V
13V
11V
40
150
30
9V
120
20
90
60
9V
10
0
7V
30
0
7V
0.3
0.6
0.9
1.2 1.5 1.8
V C E - Volts
2.1
2.4
2.7
3
0
1
2
3
4 5
V C E - Volts
6
7
8
9
80
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
1.6
Fig. 4. De pende nce of V CE(sat) on
Tem perature
70
60
V GE = 17V
15V
13V
11V
1.5
1.4
V GE = 15V
I C = 160A
50
1.3
40
9V
1.2
30
1.1
1.0
I C = 80A
20
10
0
7V
0.9
0.8
0.7
I C = 40A
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
10
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs . Gate-to-Em iiter voltage
320
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Adm ittance
9
8
7
6
5
I C = 160A
80A
40A
T J = 25oC
280
240
200
160
120
4
3
2
80
40
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
5
6
7
8
9
10
11
12
13
? 2004 IXYS All rights reserved
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXSP20N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP24N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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