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参数资料
| 型号： | IXSN62N60U1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 90A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 90A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN62N60U1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C ies
C oes
C res
I C = I C90 ; V CE = 10 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
20
23
4500
400
90
S
pF
pF
pF
Q g
190
250
nC
M4 screws (4x) supplied
Q ge
Q gc
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
45
88
60
120
nC
nC
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
31.50 31.88
Inches
Min. Max.
1.240 1.255
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V, L = 100 m H,
V CE = 0.8 V CES , R G = 2.7 W
Remarks: Switching times may increase
for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES , higher T J or
increased R G
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V, L = 100 m H
V CE = 0.8 V CES , R G = 2.7 W
Remarks: Switching times may increase
for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES , higher T J or
70
220
300
400
7
70
220
4
650
600
650
700
11
1000
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
E off
R thJC
R thCK
increased R G
9
0.05
mJ
0.50 K/W
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
V F
I F = I C90 , V GE = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.8
V
I RM
t rr
I F = I C90 , V GE = 0 V, -di F /dt = 480 A/ m s
V R = 360 V T J = 125 ° C
I F = 1 A; -di/dt = 200 A/ m s; V R = 30 V T J = 25 ° C
19
175
35
50
A
ns
ns
R thJC
0.80 K/W
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN80N60BD1 | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| L17D438SP | TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR |
| L595200 | CONTROL CURRNT TRNSFMR 200A IART |
| LC4HW-R6-DC24VS | COUNTER DIGITAL 24VDC SCREW TERM |
| LCS-10 | LIQUID LEVEL CONTROL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN80N60A | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSN80N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN80N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 160 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSP15N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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