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参数资料
| 型号： | IXSN35N120AU1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
High Voltage
IGBT with Diode
IXSN 35N120AU1 V CES
I C25
V CE(sat)
3
2
4
1
= 1200 V
= 70 A
= 4V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B
V CES
V CGR
V GES
V GEM
I C25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M W
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
1200
1200
± 20
± 30
70
V
A
V
V
A
2
1
3
4
I C90
I CM
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
35
140
A
A
1 = Emitter ? ,
2 = Gate,
3 = Collector
4 = Emitter ?
International standard package
SSOA
(RBSOA)
t SC
(SCSOA)
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 22 W
Clamped inductive load, L = 30 m H
V GE = 15 V, V CE = 0.6 ? V CES , T J = 125 ° C
R G = 22 W , non repetitive
I CM = 70
@ 0.8 V CES
10
A
m s
? Either Emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
q
P C
P D
V ISOL
T J
T JM
T C = 25 ° C
50/60 Hz
I ISOL ￡ 1 mA
IGBT
Diode
t = 1 min
t=1s
300
175
2500
3000
-55 ... +150
150
W
W
V~
V~
° C
° C
q
q
q
q
miniBLOC (ISOTOP) compatible
Aluminium-nitride isolation
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Low V CE(sat)
- for minimum on-state conduction
losses
Fast Recovery Epitaxial Diode
T stg
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
-55 ... +150 ° C
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
q
- short t rr and I RM
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
- reducesd RFI
Weight
30
g
q
Low package inductance (< 10 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Applications
min. typ.
max.
q
q
AC motor speed control
DC servo and robot drives
BV CES
I C
= 5 mA, V GE = 0 V
1200
V
q
DC choppers
V GE(th)
I C
= 4 mA, V CE = V GE
4
8
V
q
q
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
Space savings
I CES ?
I GES
V CE = 0.8 ? V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
750
15
± 100
m A
mA
nA
power supplies
Advantages
q
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
4
V
q
q
Easy to mount with 2 screws
High power density
? Device must be heat sunk during high temperature leackage test to avoid thermal runaway.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
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1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXSN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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