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参数资料
| 型号： | IXSN35N120AU1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN35N120AU1
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2 Output Characterstics
70
60
T J = 25° C
V GE =15V
13V
11V
250
T J = 25°C
V GE = 15V
200
50
40
150
13V
30
20
10
9V
100
50
11V
9V
0
7V
0
7V
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V CE - Volts
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
V CE - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
10
9
8
T J = 25°C
1.4
1.3
V GE =15V
I C = 70A
7
6
1.2
1.1
5
4
3
2
1
0
I C = 70A
I C = 35A
I C = 17.5A
1.0
0.9
0.8
0.7
I C = 35A
I C =1 7.5A
8
9
10
11
12
13
14
15
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
50
V GE - Volts
Fig. 5 Input Admittance
V CE = 10V
1.3
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
40
1.2
1.1
V GE(th)
I C = 4mA
30
1.0
20
10
T J = 125°C
T J = 25°C
T J = - 40C
0.9
0.8
BV CES
I C = 3mA
0
0.7
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V GE - Volts
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
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PDF描述 |
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