- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXGN50N60B (IXYS)IGBT 75A 600V SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXGN50N60B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | HiPerFAST™ |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 200µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.1nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN 50N60B
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C ies
C oes
C res
Q G
Q GE
Q GC
I C = I C90 ; V CE = 10 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle ≤ 2 %
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
25
42
4100
310
95
160
30
55
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.7 ?
Remarks: Switching times may increase
for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES , higher T J or
increased R G
50
50
150
120
3
250
250
4.5
ns
ns
ns
ns
mJ
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Min. Max. Min.
A 31.50 31.88 1.240
B 7.80 8.20 0.307
C 4.09 4.29 0.161
D 4.09 4.29 0.161
Inches
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V, L = 100 μ H
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.7 ?
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
50
60
3
200
250
4.2
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
Q
26.54
26.90
1.045
1.059
R thJC
0.42 K/W
R
S
3.94
4.72
4.42
4.85
0.155
0.186
0.174
0.191
R thCK
0.05
K/W
T
U
24.59
-0.05
25.07
0.1
0.968
-0.002
0.987
0.004
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| IXGN60N60 | IGBT 600V 100A SOT-227B |
| IXGN72N60A3 | IGBT 160A 600V SOT-227B |
| IXGN72N60C3H1 | IGBT 78A 600V SOT-227B |
| IXGN80N60A2D1 | IGBT 600V 160A FRD SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。