参数资料
型号: IXGP4N100
厂商: IXYS
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描述: IGBT 8A 1000V TO-220AB
标准包装: 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1000V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.7V @ 15V,4A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 8A
功率 - 最大: 40W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
Advanced Technical Information
IGBT
IXGA 4N100
IXGP 4N100
V CES = 1000 V
I C25 = 8A
V CE(sat) = 2.7 V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V CES
V CGR
V GES
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M W
Continuous
1000
1000
± 20
V
V
V
TO-220AB (IXGP)
V GEM
I C25
I C90
Transient
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
± 30
8
4
V
A
A
G
CE
I CM
SSOA
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 120 W
16
I CM = 8
A
A
TO-263 AA (IXGA)
(RBSOA)
P C
Clamped inductive load
T C = 25 ° C
@ 0.8 V CES
40
W
G
E
C (TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
M d Mounting torque with screw M3
Mounting torque with screw M3.5
Weight TO-220
TO-263
300 ° C
0.45/4 Nm/lb.in.
0.55/5 Nm/lb.in.
4 g
2 g
Features
? International standard packages
JEDEC TO-220AB and TO-263AA
? High current handling capability
? MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV CES I C = 250 m A, V GE = 0 V
V GE(th) I C = 100 m A, V CE = V GE
I CES V CE = 0.8 ? V CES
Min.
1000
2.5
T J = 25 ° C
Characteristic Values
Typ. Max.
V
5.0 V
25 m A
Applications
? AC motor speed control
? DC servo and robot drives
? DC choppers
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? Switch-mode and resonant-mode
power supplies
? Capacitor discharge
I GES
V CE(sat)
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
I C = I CE90 , V GE = 15V
T J = 125 ° C
2.2
250
± 100
2.7
m A
nA
V
Advantages
? Easy to mount with one screw
? Reduces assembly time and cost
? High power density
? 2000 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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FCP1210H183G-G2 CAP FILM 0.018UF 50VDC 1210
相关代理商/技术参数
参数描述
IXGP50N33TBM-A 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP50N60B4 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs
IXGP50N60C4 功能描述:IGBT 模块 High Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGP70N33TBM-A 功能描述:IGBT 晶体管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGP7N60B 功能描述:IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube