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参数资料
| 型号： | IXGP4N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 8A 1000V TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，4A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 8A |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXGA 4N100
IXGP 4N100
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-220 AB Dimensions
g fs
I C = I C90 ; V CE = 10 V,
2.5
4
S
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle ￡ 2 %
C ies
343
pF
C oes
C res
I C(ON)
Q g
Q ge
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
V GE = 10V, V CE = 10V
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
21
5
21
13.6
2.5
pF
pF
A
nC
nC
Q gc
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 800 V, R G = R off = 120 W
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 V CES ,
higher T J or increased R G
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V
V CE = 800 V, R G = R off = 120 W
Remarks: Switching times may
increase for V CE (Clamp) > 0.8 V CES ,
higher T J or increased R G
6.5
20
25
390
340
0.9
20
25
0.16
700
520
2.0
800
700
2.0
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
Pins: 1 - Gate
3 - Emitter
2 - Collector
4 - Collector
Bottom Side
R thJC
R thCK
TO-220
0.5
3.1
K/W
K/W
TO-263 AA Outline
1.
2.
3.
4.
Gate
Collector
Emitter
Collector
Bottom Side
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
Dim.
A
A1
Millimeter
Min. Max.
4.06 4.83
2.03 2.79
Inches
Min. Max.
.160 .190
.080 .110
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FK5400006 | OSC 54MHZ 3.3V SMD |
| 3537003N000 | SWITCH TOGGLE 15A SPDT SCREW |
| 3539003N000 | SWITCH TOGGLE 18A SPDT SCREW |
| AML25GBF8CA04GR | PADDLE SWITCH |
| FCP1210H183G-G2 | CAP FILM 0.018UF 50VDC 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGP50N33TBM-A | 功能描述:IGBT 晶体管 50 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP50N60B4 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs |
| IXGP50N60C4 | 功能描述:IGBT 模块 High Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGP70N33TBM-A | 功能描述:IGBT 晶体管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP7N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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