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参数资料
| 型号： | IXGQ50N60C4D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | IXGQ50N60C4D1 |
2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Fig. 21. Forward Voltage vs.
Forward Current
0
5
10
15
20
25
30
35
40
00.5
1
1.5
22.5
VF - Volts
IF
-
A
m
p
ere
s
TJ = 150C
100C
25C
Fig. 22. Reverse Recovery Charge
vs. - di
F/dt
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
100
1000
-diF/dt - A/s
Q
R
-
N
a
no
C
oul
om
bs
I F = 30A, 15A, 7.5A
TJ = 100C
VR = 300V
Fig. 23. Peak Reverse Current
vs. - di
F/dt
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
200
400
600
800
1000
-diF/dt - A/s
IRM
-
A
m
per
es
I F = 30A
15A
7.5A
TJ = 100C
VR = 300V
Fig. 24. Dynamic Parameter
vs. Junction Temperature
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
20
40
60
80
100
120
140
160
TJ - Degrees Centigrade
K
F
I RM
Q r
Fig. 25. Reverse Recovery Time
vs. - di
F/dt
70
80
90
100
110
120
0
200
400
600
800
1000
-diF/dt - A/s
t
rr
-
Nanos
ec
onds
I F = 30A
15A
7.5A
TJ = 100C
VR = 300V
Fig. 26. Peak Forward Voltage & Forward
Recovery Time vs. di
F/dt
0
5
10
15
20
0
200
400
600
800
1000
diF/dt - A/s
V
FR
-V
o
lts
0
0.5
1
1.5
2
t
fr -
M
ic
ros
ec
onds
TJ = 100C
I F = 15A
VFR
t f r
Fig. 27. Maximum Transient Thermal Impedance (for Diode)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Second
Z
(t
h)
JC
-
C
/
W
IXGQ50N60C4D1
IXGH50N60C4D1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSP2N100 | 3 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
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| J-785-12 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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