- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录459 > IXKH70N60C5 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXKH70N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6800pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXKH 70N60C5
0.16
0.12
320
T JV = 150°C
V DS = 5 V
5.5 V
I D = 44 A
V GS = 10 V
280
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
25 °C
6V
6.5 V
0.1
0.12
7V
240
0.08
200
20 V
0.08
0.06
98 %
160
150 °C
0.04
0.04
typ
120
80
T J =
0.02
40
0
0
0
0
20
40
60
80
100
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
3
12
10
5
I D = 11 A pulsed
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
10
4
Ciss
V DS = 50 V
10
2
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
8
1 20 V
40 0V
10
3
Coss
6
25 °C, 98%
10
2
10
1
4
2
10
1
Crss
10
0
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
50
100
150
0
50
100
150
200
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
2000
1500
I D = 11 A
700
660
I D = 0.25 mA
10
0
0.5
10
-1
0.2
D = t p /T
1000
500
620
580
10
-2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0
540
10
-3
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
Fig. 12 Max. transient thermal
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
impedance
20090209d
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKK85N60C | MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 |
| IXKN40N60C | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B |
| IXKN45N80C | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
| IXKP10N60C5 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKK85N60C | 功能描述:MOSFET 85 Amps 600V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN40N60C | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN45N80C | 功能描述:MOSFET 45 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKN75N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。