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参数资料
| 型号： | IXKN45N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXKN 45N80C
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
I S
V GS = 0 V
60
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 65 A; V GS = 0 V
I F = 80 A; -di F /dt = 400 A/μs; V R = 480 V
0.9
500
45
280
.2
800
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
V ISOL
M d
operating
storage
I ISOL < mA, 50/60 Hz
mounting torque
terminal connection torque
-55...+ 50
-55...+ 25
2500
.5
.5
°C
°C
V~
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
0.
30
K/W
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526a
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
| IXKP10N60C5 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
| IXKP13N60C5M | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKN75N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN75N60C | 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP10N60C5 | 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP10N60C5M | 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP13N60C5 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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