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参数资料
| 型号： | IXKN45N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXKN 45N80C
375
350
T J = 150°C
0.4
I D = 44 A
260
240
V DS > 2x I D x R DS(on)
25°C
V GS = 10 V
220
325
0.3
200
300
4V
4.5 V
5V
5.5 V
6V
6.5 V
180
275
160
250
225
200
175
7V
8V
10 V
20 V
0.2
0.1
98%
typ
140
120
100
80
60
40
150°C
150
20
125
0
5
10
15 20
I D [A]
25
30
35
0
-60
-20
20
60 100
T J [°C]
140
180
0
0
2
4
6
8
10 12
V GS [V]
14
16
18
20
Fig. 4
Typ. drain-source on-state
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
resistance
10
2
16
10
5
V GS = 0 V, f = 1 MHz
14
10
4
C iss
10
1
12
10
0.2 V DS max
0.8 V DS max
10
3
8
10
0
T j = 25 °C typ
T j = 150 °C typ
T j = 25 °C (98%)
6
10
2
C rss
C oss
T j = 150 °C (98%)
4
10
1
2
10
-1
0
0.4
0.8
1.2 1.6
V SD [V]
2
2.4
2.8 3
0
0
80
160
240
320 400
Q G [nC]
480
560
640
10
0
0
100
200
300
400 500
V DS [V]
600
700
800
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
700
980
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
I D = 4 A
960
940
920
900
880
860
840
820
800
780
760
740
0
25
50
75 100
T J [°C]
125
150
720
-60
-20
20
60 100
T J [°C]
140
180
Fig. 0 Avalanche energy
Fig. Drain-source breakdown voltage
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526a
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKP10N60C5M | MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP |
| IXKP10N60C5 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKN75N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET |
| IXKN75N60C | 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP10N60C5 | 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP10N60C5M | 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP13N60C5 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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