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参数资料
| 型号： | IXKP13N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 440µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXKP 13N60C5
TO-220 AB Outline
M
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
C
N
A
B
C
D
E
F
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91
10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
G
G
H
J
K
1.15
2.79
0.64
2.54
1.65
5.84
1.01
BSC
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100 BSC
J
L
K
Q
R
M
N
4.32
1.14
4.82
1.39
0.170 0.190
0.045 0.055
140
45
Q
R
0.35
2.29
0.56
2.79
25
0.014 0.022
0.090 0.110
120
T J = 25?C
V GS = 20 V
1 2V
10V
20
T J = 150?C
20 V
1 2V
100
30
8V
V GS = 8 V
10 V
6V
80
60
15
6V
5.5 V
15
10
5.5 V
5V
40
4.5 V
20
5V
4.5 V
5
0
0
0
0
40
80
120
160
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
T C [°C]
V
DS
[V]
V
DS
[V]
Fig. 1 Power dissipation
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209c
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKP20N60C5M | MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKP13N60C5M | 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP20N60C5M | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP24N60C5M | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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