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参数资料
| 型号： | IXKR40N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXKR 40N60C
Component
ISOPLUS247 TM OUTLINE
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V ISOL
T VJ
T stg
T L
F C
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
1.6 mm from case for 10 s
mounting force with clip
2500
-40...+150
-40...+125
300
20 ... 120
V~
° C
° C
° C
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
C p
coupling capacity between shorted
30
pF
pins and mounting tab in the case
R thCH
Weight
with heatsink compound
0.25
6
K/W
g
The convex bow of substrate is typ. < 0.04 mm over plastic surface level
of device bottom side
This drawing will meet all dimensions requirement of JEDEC outline
TO-247 AD except screw hole and except Lmax.
20080523a
? 2008 IXYS All rights reserved
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKR47N60C5 | MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 |
| IXTA10N60P | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK |
| IXTA110N055T2 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| IXTA110N055T7 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 |
| IXTA110N055T | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKR47N60C5 | 功能描述:MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKT70N60C5 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKT70N60C5-TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:70 Amps 600V |
| IXKU5-505MINIPACK2 | 功能描述:MOSFET MiniPack 2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKX50N60BU1 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode |
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