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参数资料
| 型号： | IXS839BQ2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER SYNC BUCK 10QFN |
| 标准包装： | 121 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 24V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-QFN |
| 包装： | 管件 |
IXYS
Typical Performance Characteristics
Fig 7. HGD Fall and LGD Rise Times
25
20
IXS839 / IXS839A / IXS839B
Fig 8. LGD Fall and HGD Rise Times
25
20
15
HGD
15
10
10
HGD
5
0
LGD
Vdd=5V
Cl=3nF
5
0
LGD
Vdd=5V
Cl=3nF
-40
-15
10
35
60
85
-40
-15
10
35
60
85
Ta (°C)
Fig 9. HGD & LGD Rise Time vs. Temperature
25
20
Ta (°C)
Fig 10. HGD & LGD Fall Time vs. Temperature
25
20
15
HGD
15
HGD
10
5
0
LGD
Vdd=5V
Ta=25C
10
5
0
LGD
Vdd=5V
Ta=25C
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
Capacitance (nF)
Fig 11. HGD and LGD Rise Time vs. Load Capacitance
7
Capacitance (nF)
Fig 12. HGD and LGD Fall Time vs. Load Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBC08DRTI-S13 | CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND |
| RJZ-0524S | CONV DC/DC 2W 05VIN 24VOUT |
| K2200F1 | SIDAC 205-230VOB 1AMP TO-202 |
| MIC4468CWM TR | IC DRIVER MOSF QUAD 1.2A 16-SOIC |
| GBM22DRSD-S288 | CONN EDGECARD 44POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXS839BQ2T/R | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXS839S1 | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXS839S1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXSA10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSA12N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
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