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参数资料
| 型号： | IXTA120N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.7 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA120N075T2
IXTP120N075T2
120
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
110
V GS = 15V
10V
300
V GS = 15V
10V
100
90
9V
8V
250
9V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
200
150
100
50
0
8V
7V
6V
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value
vs. Junction Temperature
120
110
V GS = 15V
10V
2.6
2.4
V GS = 10V
100
90
80
70
60
50
40
9V
8V
7V
6V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 120A
I D = 60A
30
20
1.0
0.8
10
0
5V
0.6
0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value
vs. Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.5
V GS = 10V
15V - - - - -
70
External Lead Current Limit
60
3.0
50
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
T J = 175oC
T J = 25oC
40
30
20
10
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA130N065T2 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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