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参数资料
| 型号： | IXTA130N065T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 65V 130A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 65V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench T2 TM
Power MOSFET
IXTA130N065T2
IXTP130N065T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 65V
= 130A
≤ 6.6m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
65
V
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
65
± 20
V
V
G
S
(TAB)
I D25
I LRMS
I DM
I A
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
130
75
330
65
A
A
A
A
TO-220 (IXTP)
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
600
250
mJ
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International standard packages
175 ° C Operating Temperature
Avalanche rated
High current handling capability
Low R DS(on)
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
65 V
Easy to mount
Space savings
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Applications
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
± 200 nA
5 μ A
150 μ A
Automotive
- Motor Drives
- 12V Battery
- ABS Systems
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 50A, Notes 1, 2
6.6 m Ω
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary- Side Switch
High Current Switching Applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100050(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH13N90 | MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 |
| FXO-LC536R-260 | OSC 260 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| MLW3012-24-RB-1A | SWITCH ROCKER SPDT 5A 125V |
| C20F.0121 | MOD PWR ENTRY QC SCREW-ON PNL MT |
| IXFH30N50 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA130N10T7 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA130N10T-TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 130A TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMV™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTA140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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