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参数资料
| 型号： | IXTA130N065T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 65V 130A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 65V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA130N065T2
IXTP130N065T2
80
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
80
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
70
60
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 33V
70
60
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 33V
T J = 25oC
50
50
40
I
D
= 130A
40
30
30
20
I
D
= 65A
20
T J = 125oC
10
0
10
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
60
70
80
90
100
110
120
130
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
180
36
50
50
160
t r
t d(on) - - - -
32
45
t f
t d(off) - - - -
45
140
120
100
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 33V
28
24
20
40
35
30
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 33V
I D = 65A
40
35
30
I D = 130A, 65A
25
25
80
16
20
20
60
40
20
0
12
8
4
0
15
10
5
0
I D = 130A
15
10
5
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
38
45
150
140
34
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
40
130
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
120
30
T J = 125oC
V DS = 33V
35
110
V DS = 33V
I D = 65A
100
26
22
18
30
25
20
90
70
50
I
D
= 130A
80
60
40
14
10
T J = 25oC
15
10
30
10
20
0
60
70
80
90
100
110
120
130
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA130N10T7 | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTA14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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