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参数资料
| 型号： | IXTA130N10T-TRL |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO263 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXTA130N10T
IXTP130N10T
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-263 (IXTA) Outline
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
R G = 5 Ω (External)
55
93
5080
635
95
30
47
44
28
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
104
nC
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
30
29
nC
nC
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.06 4.83
Inches
Min. Max.
.160 .190
R thJC
R thCH
TO-220
0.50
0.42
° C/W
° C/W
A1
b
b2
c
2.03
0.51
1.14
0.46
2.79
0.99
1.40
0.74
.080
.020
.045
.018
.110
.039
.055
.029
c2
D
1.14
8.64
1.40
9.65
.045
.340
.055
.380
Source-Drain Diode
D1
E
7.11
9.65
8.13
10.29
.280
.380
.320
.405
Symbol Test Conditions
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
E1
e
L
L1
6.86
2.54
14.61
2.29
8.13
BSC
15.88
2.79
.270
.100
.575
.090
.320
BSC
.625
.110
I S
I SM
V GS = 0V
Pulse width limited by T JM
130
350
A
A
L2
L3
L4
R
1.02
1.27
0
0.46
1.40
1.78
0.38
0.74
.040
.050
0
.018
.055
.070
.015
.029
V SD
t rr
I RM
Q rr
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
I F = 0.5 ? I S , -di/dt = 100A/ μ s
V R = 0.5 ? V DSS , V GS = 0V
67
4.7
160
1.0
V
ns
A
nC
TO-220 (IXTP) Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact
location must be 5 mm or less from the package body.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA130N10T7 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 |
| IXTA152N085T7 | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 |
| IXTA152N085T | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 |
| IXTA160N04T2 | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK |
| IXTA160N075T7 | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA152N085T | 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA152N085T7 | 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA15N50L2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A T0-263 |
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