- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录460 > IXTA152N085T7 (IXYS)MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTA152N085T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 152A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA152N085T7
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
270
240
210
V GS = 10V
9V
8V
100
80
60
6V
180
150
120
7V
6V
90
40
60
20
0
5V
30
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 76A Value
vs. Junction Temperature
140
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.4
2.2
V GS = 10V
2.0
100
80
60
6V
1.8
1.6
1.4
I D = 152A
I D = 76A
1.2
40
20
0
5V
1.0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 76A Value
vs. Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.8
2.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
120
External Lead Current Limit for TO-263 (7-Lead)
2.4
2.2
2
100
80
1.8
1.6
1.4
60
40
External Lead Current Limit for TO-3P, TO-220, & TO-263
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA152N085T | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 |
| IXTA160N04T2 | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK |
| IXTA160N075T7 | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7 |
| IXTA160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263 |
| IXTA160N10T7 | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA15N50L2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A T0-263 |
| IXTA15P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N04T2 | 功能描述:MOSFET 160Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N075T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N075T7 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。