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参数资料
| 型号： | IXTA152N085T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 152A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA152N085T7
60
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
55
R G = 5 ?
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
I D = 25A
I D = 50A
V GS = 10V
V DS = 43V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
110
43
47
76
100
90
80
70
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 43V
I D = 25A
41
39
37
35
46
45
44
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 43V
72
68
64
60
33
I D = 50A
50
31
43
I D = 25A
60
40
30
20
10
I D = 50A
29
27
25
23
42
41
40
56
52
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
46
45
80
75
130
120
220
200
44
T J = 25oC
70
110
100
I D = 25A
180
160
43
42
41
40
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 125oC
T J = 125oC
T J = 25oC
65
60
55
50
90
80
70
60
50
40
I D = 50A
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 43V
140
120
100
80
60
40
39
45
30
20
24
28
32
36
40
44
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_152N085T (4V) 6-12-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA152N085T | MOSFET N-CH 85V 152A TO-263 |
| IXTA160N04T2 | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK |
| IXTA160N075T7 | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7 |
| IXTA160N075T | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263 |
| IXTA160N10T7 | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA15N50L2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A T0-263 |
| IXTA15P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N04T2 | 功能描述:MOSFET 160Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N075T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N075T7 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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