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参数资料
| 型号： | IXTA160N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA160N04T2
IXTP160N04T2
30
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
29
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
29
28
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
28
27
T J = 25oC
27
26
26
R G = 5 ?
25
I
D
= 160A
25
V GS = 10V
V DS = 20V
24
24
23
22
I
D
= 80A
23
T J = 125oC
21
20
22
21
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
80
90
100
110
120
130
140
150
160
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
140
35
34
34
120
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
30
30
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
I D = 80A
30
100
V DS = 20V
I D = 160A, 80A
25
26
V DS = 20V
26
80
20
22
22
60
40
15
10
18
I D = 160A
18
20
0
5
0
14
10
14
10
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
40
140
140
35
30
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
35
30
120
100
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 80A, 160A
120
100
80
80
25
25
60
60
20
20
40
40
15
10
T J = 25oC
15
10
20
0
20
0
80
90
100
110
120
130
140
150
160
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA160N075T7 | MOSFET N-CH 75V 160A TO-263-7 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA160N075T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N075T7 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA160N10T7 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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