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参数资料
| 型号： | IXTA160N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 132nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA160N10T
IXTP160N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100 V
= 160 A
≤ 7.0 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
S
(TAB)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Transient
100
100
± 30
V
V
V
TO-220 (IXTP)
D
I D25
I LRMS
I DM
I AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
160
75
430
25
500
3
A
A
A
A
mJ
V/ns
G
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
T J ≤ 175 ° C, R G = 5 Ω
Features
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
430
-55 ... +175
175
-55 ... +175
W
° C
° C
° C
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
T L
T SOLD
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
300 ° C
260 ° C
1.13 / 10 Nm/lb.in.
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Weight
TO-220
TO-263
3
2.5
g
g
Space savings
High power density
Applications
Automotive
- Motor Drives
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 150 ° C
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
100
2.5
6.1
4.5
± 200
5
250
7.0
V
V
nA
μ A
μ A
m Ω
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
Distributed Power Architechtures
and VRMs
Electronic Valve Train Systems
High Current Switching
Applications
High Voltage Synchronous Recifier
DS99650 (11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA180N085T7 | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7 |
| IXTA180N085T | MOSFET N-CH 85V 180A TO-263 |
| IXTA180N10T7 | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 |
| IXTA180N10T | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 |
| IXTA182N055T7 | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA160N10T7 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA16N50P | 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA170N075T2 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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